薄膜沉积设备

等离子体化学气相沉积（PECVD）

用 途：等离子体浸没离子注入和直流脉冲等离子体化学气相沉积高速沉积各种碳膜

主要指标：

离子注入电压：≤20KV，

离子注入电流：≤100mA，

气相沉积电压：≤2KV，

脉冲频率：≤5KHz，

真空度：＜1*10^-3Pa

样品要求：固体